EUV-Technologie

Kontakt

Name

Serhiy Danylyuk

Telefon

work
+49 241 8906 525

E-Mail

E-Mail
  EUV Quelle Urheberrecht: Fraunhofer ILT

Die Verwendung von EUV Strahlung (extrem-ultraviolette Strahlung, Wellenlänge 5 bis 50 Nanometer) eröffnet Zugang zu einer Reihe von neuen Analyse- und Strukturierungsmethoden im Bereich der Nanotechnologie. Die kurze Wellenlänge und effektive Wechselwirkung von EUV Strahlung mit Materie ermöglichen eine Orts- und Tiefenauflösung auf der Nanometerskala, wodurch hochauflösende Lithographie- und Mikroskopieverfahren als auch Dünnschichtanalysen realisiert werden können.

 
 

Untersuchungen im Bereich der hochauflösenden EUV-Lithographie zeigen schon jetzt eine Auflösung unterhalb von 30 Nanometern mit dem Potential Strukturgrößen im Bereich von 10 Nanometern zu realisieren. Die entwickelten Herstellungsprozesse für hocheffiziente Transmissionsmasken und -gitter ermöglichen die hohe Auflösung und den großen Durchsatz dieses Strukturierungsverfahrens.

Der Kompetenzschwerpunkt Bildgebung und Inspektion adressiert Fragestellungen zur nanoskaligen Bildgebung, Defekterkennung und Inspektion von EUV-Maskenrohlingen mit Hilfe von eigens entwickelten EUV-Transmissions- und Reflexionsmikroskopen. Die optimierte Detektion von EUV-Strahlung mittels kommerziellen und speziell angefertigten (Leuchtstoff-basierten) Detektoren ist eine Unteraufgabe dieses Themenschwerpunktes.

Die Aufgabenstellungen im Bereich der Wechselwirkung von Strahlung mit Oberflächen konzentrieren sich sowohl auf die Analyse von Oberflächen und Dünnschichtsystemen mittels spektroskopischer, winkelaufgelöster EUV-Reflektometrie als auch auf die lokale Veränderung der Eigenschaften von Materie unter intensiver EUV-Bestrahlung. Die EUV-Reflektometrie ermöglicht eine präzise Bestimmung von Schichtdicken (kleiner 1 Nanometer), Oberflächenrauheiten und der chemischen Zusammensetzung von oberflächennahen Schichten, wie zum Beispiel high-k Dielektrika, OLEDs oder Halbleiterschichten.